氮化铝属于典型的第三代半导体材料，它具有特宽禁带和非常大的激子束缚能，其中禁带宽度为6.2eV，属于直接带隙半导体。由于氮化铝具有多种突出的优异物理性能，如高的击穿场强、热导率、电阻率等，在半导体领域中一直备受关注，也是半导体领域一直在“征服”的材料。
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氮化铝（AlN）陶瓷是一种由铝和氮元素构成的先进陶瓷材料，属于六方晶系的共价键化合物。具有高热导率、优异的电绝缘性、低介电常数和损耗、以及与硅相匹配的热膨胀系数等特性。
